CXMT troca silício por háfnio em transistores de DRAM e abre caminho para o processo 1a e além
CXMT usa High‑k Metal Gate em DRAM, reduz fuga de corrente e avança rumo ao processo 1a, ampliando produção e preparando HBM3 e DDR6.
em Hardwares | 5 minutos atrás















































