Atualmente, a ASML é conhecida como a única fornecedora de máquinas de litografia EUV (ultravioleta extrema) do mundo.
À medida que os hyperscalers ampliam seus investimentos em infraestrutura de computação, novos gargalos surgem em diferentes partes da cadeia de desenvolvimento de inteligência artificial. Eles aparecem desde componentes avançados até materiais específicos usados na fabricação de chips.
Mesmo com esses novos obstáculos, existe uma limitação que continua sendo uma das mais importantes para a expansão da IA, a capacidade das fábricas de semicondutores de produzir wafers utilizando os processos mais avançados do mercado.
Na prática, esse gargalo está relacionado à capacidade disponível de equipamentos EUV, já que todos os processos abaixo de 7 nanômetros dependem dessa tecnologia.
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Do lado das fabricantes de chips, aumentar o tempo de operação e a utilização dessas máquinas ajuda a aumentar a produção, mas existe um limite.
Como a quantidade de equipamentos fabricados por ano é restrita e as fundições disputam cada unidade disponível, a limitação de capacidade da EUV continua tão importante quanto antes na era dos hyperscalers.
Ciente desse cenário, a ASML vem tratando a tecnologia High-NA (Alta Abertura Numérica) como o próximo passo da evolução da litografia EUV.
Essa tecnologia possibilita imprimir estruturas menores sem a necessidade de múltiplas etapas de exposição, reduzindo bastante a complexidade necessária para continuar diminuindo os nós de fabricação. A Intel foi uma das primeiras empresas a adotar a High-NA de forma mais ampla.
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Segundo a companhia, a transição da EUV de 0,33 NA, conhecida como Low-NA, para a High-NA de 0,55 pode reduzir o número de exposições de três para apenas uma. O mesmo ocorre com a quantidade de etapas necessárias no processo de criação das máscaras.
A jornada da High-NA se aproxima da produção em massa
O primeiro envio de uma máquina de litografia com abertura numérica de 0,55, a EXE:5000, aconteceu no quarto trimestre de 2023.
Quase um ano depois, no terceiro trimestre de 2024, o primeiro wafer foi processado com o equipamento. A máquina alcança uma capacidade de 110 wafers por hora.
Sua sucessora, a EXE:5200B, começou a ser entregue aos clientes no quarto trimestre de 2025. O modelo alcança até 175 wafers por hora.
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A produção também atingiu marcos importantes. Em dezembro de 2025, a marca de 500 mil wafers High-NA processados foi alcançada.
Apesar do longo período de desenvolvimento até a chegada da tecnologia, as fundições já estão em estágios avançados de qualificação para produção.
Com isso, a fabricação em grande volume, conhecida como HVM (High Volume Manufacturing), parece cada vez mais próxima.
"Resumindo, vemos que a jornada rumo ao HVM está avançando com um ritmo muito positivo, impulsionado pelos resultados obtidos com os sistemas 5000 e 5200B." — Chris De Ruiter, ASML (SPIE EUVL 2026)
O próximo passo: Hyper-NA
Depois da High-NA de 0,55, a ASML já discute a próxima evolução da tecnologia: a Hyper-NA. A litografia Hyper-NA é definida por uma abertura numérica acima de 0,75.
A tecnologia deverá possibilitar a continuação da redução dos processos de fabricação além do nó A7, cuja produção em grande volume é esperada para começar por volta de 2033.
Para manter a viabilidade da litografia com exposição única, será necessário um novo aumento na abertura numérica durante a segunda metade da década de 2030.
"O que este gráfico mostra é que, observando as projeções do roteiro de miniaturização e considerando as incertezas envolvidas, provavelmente será necessário dar um novo passo durante a segunda metade da próxima década." — Jos Benschop, ASML (SPIE EUVL 2026)
Segundo a empresa, a Hyper-NA não exigirá sistemas ópticos muito maiores do que os utilizados na High-NA. Isso permitirá o reaproveitamento da plataforma High Performance Platform, introduzida com os equipamentos High-NA da linha EXE.
Os estudos apresentados pela ASML indicam que o aumento da abertura numérica reduz a quantidade de etapas envolvendo máscaras durante o processo de litografia. Isso também diminui o consumo de energia.
Apesar de a Hyper-NA aumentar o custo dos equipamentos, da mesma forma que ocorreu com a High-NA, a expectativa é que a tecnologia se torne economicamente viável ao longo do tempo e continue sustentando os avanços da litografia EUV e da indústria de semicondutores.
Fontes do material
- C. De Ruiter et al., "High-NA EUV for high volume manufacturing", Proc. SPIE 13979, Optical and EUV Nanolithography XXXIX (2026)
- J. Benschop et al., "Hyper-NA at 13.5nm: a natural next step to extend single-exposure EUV lithography", Proc. SPIE 13979, Optical and EUV Nanolithography XXXIX (2026)
