A Samsung teria produzido o primeiro módulo de DRAM "independente" do mundo usando um processo abaixo de 10nm. Por muito tempo, a indústria de DRAM utilizou processos na faixa de 10nm para fabricar circuitos integrados.
Essas tecnologias incluem variações como 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c e 1d. Agora, a Samsung trabalha em um novo processo chamado 10a, que fica abaixo do limite tradicional de 10nm.
"Samsung Electronics produziu o primeiro chip funcional de DRAM com tecnologia de um dígito em nanômetros. A empresa planeja ajustar as condições do processo para melhorar o rendimento com base nesse chip inicial. Segundo fontes do setor no dia 24, a Samsung confirmou o funcionamento do chip ao analisar as características após fabricar wafers com o processo 10a no mês passado. Esse resultado veio com o uso da estrutura de célula quadrada 4F e do processo de transistor de canal vertical (VCT)." via The ELEC
Com o processo 10a, a tecnologia pode chegar a cerca de 9,5nm a 9,7nm, sendo a primeira abaixo de 10nm na indústria. As principais mudanças que possibilitam isso são a estrutura "4F Square Cell" e o uso do VCT (transistor de canal vertical).
Segundo informações, a Samsung pretende concluir o desenvolvimento da DRAM 10a ainda este ano. A produção em larga escala está prevista para 2028.
A nova estrutura deve estrear na geração 10a e passar por melhorias nas versões 10b e 10c. Já a DRAM 10d deve usar tecnologia 3D e tem previsão para chegar entre 2029 e 2030.
Hoje, os produtos de DRAM usam uma estrutura 6F, com formato retangular (3F x 2F). Com a nova estrutura 4F, o formato fica mais quadrado (2F x 2F).
Essa mudança pode aumentar a densidade de cada chip em cerca de 30% a 50%. Além de mais capacidade, isso também ajuda a reduzir o consumo de energia.
A nova DRAM também deve usar materiais diferentes, como o óxido de índio, gálio e zinco (IGZO), no lugar do silício usado antes.
Esse material reduz vazamentos elétricos nas células menores, o que ajuda a manter os dados armazenados por mais tempo.
Concorrentes da Samsung, como a Micron Technology, estão adiando planos com a estrutura 4F e focando diretamente na DRAM 3D.
Fabricantes chineses, que não têm acesso a equipamentos avançados de litografia, podem ter dificuldades para produzir DRAM 3D.
Ainda assim, como essa tecnologia pode seguir um modelo parecido com o da memória 3D NAND, existe alguma possibilidade de adaptação.
Ao mesmo tempo, o desenvolvimento da DRAM 3D está acelerando, com várias empresas trabalhando na tecnologia para atender à demanda crescente por aplicações de inteligência artificial.
