A Intel anunciou que seu projeto de memória ZAM, desenvolvido em parceria com a subsidiária da SoftBank, SAIMEMORY, recebeu um novo impulso do governo japonês.
Japão acelera plano de 3,5 anos da ZAM, nova memória da Intel e SoftBank
Em comunicado recente, a Intel Kabushiki Kaisha (Intel K.K.) e a subsidiária da SoftBank, SAIMEMORY, informaram que a NEDO (New Energy and Industrial Technology Development Organization), do Japão, selecionou a ZAM, um padrão de memória de próxima geração visto como alternativa à HBM.
ことしの年次イベントIntel Connection Japan 2026で発表した、SAIMEMORYと共同で推進している次世代メモリー開発が、NEDO(国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構)の助成事業に採択されました。
これにより、AI時代に向けた次世代積層DRAMアーキテクチャーであるZ-Angle Memory (ZAM)… pic.twitter.com/G8vE17gKb2
— インテル【公式】 (@IntelJapan) April 24, 2026
Com a escolha pela NEDO, o projeto passa a receber subsídios do governo, o que acelera o desenvolvimento para lidar com limitações atuais do mercado, como a falta de memória nos segmentos de inteligência artificial e computação de alto desempenho (HPC).
O projeto ZAM foi apresentado em fevereiro deste ano, quando a Intel se uniu à SoftBank para buscar uma solução para a atual crise de memória.
O resultado foi a ZAM, ou Z-Angle Memory, criada para oferecer alta densidade, grande largura de banda e baixo consumo de energia.
No novo programa, a ZAM também vai contar com uma rede de parceiros de tecnologia, fabricação e cadeia de suprimentos no Japão e em outros países para apoiar o desenvolvimento e a produção em larga escala.
"A Intel dedicou anos a comprovar a ciência por trás da ZAM, desde os laboratórios nacionais do Departamento de Energia até nossa iniciativa de ligação de DRAM de próxima geração. Acreditamos que este prêmio acelera esse trabalho para implementação global e fortalece o tipo de parceria tecnológica EUA-Japão que será extremamente importante nos próximos anos." disse Makoto Ohno, presidente da Intel K.K.
Entrando em detalhes técnicos, a ZAM (Z-Angle Memory) tem como objetivo reduzir o consumo de energia em 40% a 50%, além de usar um design mais simples, que facilita a fabricação, e alcançar densidades de até 512 GB por chip.
Cada pilha de memória Z-Angle será formada por vários chips DRAM empilhados de forma compacta, conectados por interligações em ângulo.
Cada pilha será ligada ao chip principal de processamento por meio da tecnologia EMIB, sob o chip base. A chegada da ZAM marca o primeiro produto de memória da Intel em várias décadas.
No início de sua história, a empresa teve forte presença na fabricação de memórias, mas perdeu espaço para fabricantes japoneses. Agora, companhias do Japão participam do desenvolvimento da nova tecnologia.
