A Samsung acaba de apresentar a primeira memória DDR5 de 32 gigabits (GB) do mercado, baseada em uma avançada tecnologia de processo de 12 nanômetros (nm).
Isso representa um salto significativo em termos de capacidade e desempenho. Até o momento, empresas como SK hynix e Micron ofereciam memórias DDR5 de até 24 GB, o que permitia alcançar uma capacidade máxima de 96 GB.
No entanto, a Samsung superou essas marcas com sua solução de 32 GB, que é 33,3% mais densa graças à tecnologia de 12 nm. A Micron também anunciou uma memória DDR5 de 32 GB, mas a Samsung está à frente no que diz respeito à produção real.
Em um comunicado à imprensa, a Samsung Electronics, disse que já iniciou a produção em massa de sua memória DDR5 de 16 GB usando o mesmo processo de 12 nm em maio de 2023.
Esse novo avanço solidifica a posição de liderança da Samsung na próxima geração de tecnologia de memória, preparando o terreno para um futuro de alta capacidade de memória.
O vice-presidente executivo de produto e tecnologia DRAM da Samsung Electronics, SangJoon Hwang, afirma que essa memória de 32 GB permitirá módulos de até 1 terabyte (TB), atendendo à crescente demanda por memória de alta capacidade na era da Inteligência Artificial (IA) e big data.
Além disso, ele observou que a Samsung continuará inovando em soluções de memória, buscando constantemente ultrapassar as barreiras tecnológicas.
A evolução da capacidade de memória da Samsung é notável, indo de uma DRAM de 64 kilobits (Kb) em 1983 para esta incrível memória DDR5 de 32 GB, representando um aumento de 500.000 vezes em apenas 40 anos.
Isso só foi possível devido ao uso de tecnologias de ponta que aumentam a densidade de integração e otimização de design.
Um dos aspectos mais impressionantes deste novo produto é que, ao contrário dos módulos DDR5 de 128 GB anteriores, que requeriam um processo chamado Through Silicon Via (TSV), os módulos de 128 GB baseados na memória de 32 GB da Samsung podem ser produzidos sem TSV, reduzindo o consumo de energia em cerca de 10%.
Essa eficiência energética torna essa memória uma escolha ideal para empresas, especialmente data centers, que buscam reduzir seu consumo de energia.
Com a memória DDR5 de 32 GB de 12 nm como base, a Samsung planeja expandir ainda mais sua linha de memória de alta capacidade para atender às necessidades da indústria de computação e tecnologia da informação.
Eles estão comprometidos em liderar o mercado de memória de próxima geração, fornecendo soluções de alta qualidade para data centers e clientes que demandam poder de processamento para aplicações como IA e computação de última geração.
Esta nova memória também desempenhará um papel fundamental na colaboração contínua da Samsung com outros líderes do setor. A produção em massa da memória DDR5 de 32 GB baseada na tecnologia de 12 nm está prevista para começar no final deste ano.
Via: Samsung News
