O Snapdragon X2 Elite Extreme e o Snapdragon X2 Elite foram anunciados como os primeiros chips de 3 nanômetros da Qualcomm voltados para notebooks.
A proposta é atender laptops com alto nível de desempenho, com a versão mais avançada do SoC de 18 núcleos alcançando até 5,00 GHz em um ou dois núcleos.
No anúncio oficial, a empresa não informou se os chips usavam o processo de 3nm N3E ou o mais recente N3P da TSMC. Um relatório recente trouxe uma informação diferente ao apontar que o Snapdragon X2 Elite Extreme é produzido com o processo de 3nm N3X da TSMC.
Esse tipo de litografia foi criado com foco em desempenho elevado, o que envolve alguns pontos negativos em comparação a outros processos mais equilibrados.
Segundo uma análise da Moor Insights & Strategy, a Qualcomm priorizou o maior desempenho possível no Snapdragon X2 Elite Extreme.
Essa escolha não está ligada à busca pela melhor eficiência energética, já que o N3X não é conhecido por esse perfil.
O chip usa a tecnologia SiP, sigla para System-in-Package, que reúne vários circuitos e componentes, como memória e outros módulos, em um único conjunto.
Essa abordagem lembra a arquitetura de memória unificada usada pela Apple, com os chips de memória posicionados próximos ao processador.
Isso ajuda a elevar a largura de banda da memória, o que explica por que a versão mais potente do Snapdragon X2 Elite Extreme chega a 228 GB/s. Esse número fica acima do M5, mas abaixo dos 273 GB/s registrados no M4 Pro.
O relatório também informa que o Snapdragon X2 Elite Extreme usa o nó de fabricação 3nm N3X, marcando a primeira vez que um chip comercial deixa de lado o processo 3nm N3P da TSMC.
O SoC conta com cerca de 31 bilhões de transistores, e esse processo voltado para computação de alto desempenho entrega um ganho de cerca de 5% em relação ao N3P. De acordo com a análise, a plataforma do X2 Elite Extreme foi pensada para extrair o máximo desta geração.
O chip traz barramento de memória de 192 bits, suporte a até 128 GB de RAM e memória operando a 9.523 MT/s, alcançando até 228 GB/s de largura de banda, o que evita gargalos nesse ponto.
Todo esse conjunto é produzido no processo N3X e reúne mais de 31 bilhões de transistores. O Snapdragon X2 Elite Extreme também foi projetado para operar com tensões acima de 1,0 V, o que ajuda a atingir frequências mais altas e maior desempenho.
Em troca, há menor densidade e eficiência quando comparado ao processo 3nm N3P. Mesmo assim, o chip da Qualcomm fica atrás do Apple M4 Max nos testes de núcleo único e múltiplos do Cinebench 2024.
Em cenários sem restrições, o Snapdragon X2 Elite Extreme pode ultrapassar a marca de 100 W de consumo. Em alguns modelos de notebook, o consumo sustentado gira em torno de 40 W. Ainda assim, os resultados ficam abaixo do esperado.
A diferença também aparece no desempenho gráfico, já que o M4 Pro alcança até 45% a mais em testes sintéticos focados em GPU, como o 3DMark Steel Nomad Light Unlimited e o 3DMark Solar Bay Unlimited.
Até o momento, a adoção do processo 3nm N3X não trouxe os resultados que a Qualcomm esperava. Os dados disponíveis ainda se limitam a poucos benchmarks, que não mostram todo o cenário do Snapdragon X2 Elite Extreme. Novos testes devem trazer uma visão mais completa sobre o chip.
