A Intel divulgou mais informações sobre sua tecnologia de fabricação 18A-P, que deve ganhar força entre clientes nos próximos anos.
Intel amplia detalhes do 18A-P, peça importante para sua divisão Foundry
A fabricação de semicondutores é uma das áreas mais complexas da indústria de tecnologia, e a Intel segue investindo no avanço de sua divisão Foundry por meio de novos processos de fabricação e tecnologias de empacotamento.
Com a evolução do 18A e a atenção voltada para futuras tecnologias, como o 14A, a empresa continua trabalhando para ampliar a confiança de clientes e parceiros.
Por isso, a Intel tem adotado uma estratégia gradual. Além dos processos mais avançados, a companhia desenvolveu uma versão voltada especificamente para clientes externos.
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Trata-se do 18A-P, baseado na mesma estrutura do 18A, mas com recursos adicionais. O 18A-P já havia sido apresentado anteriormente, mas durante o VLSI 2026 a Intel revelou detalhes completos sobre a tecnologia.
A empresa informou que o processo já entrou em fase de produção de risco e traz novos recursos, incluindo o Power Boost.
Ganhos de desempenho e eficiência energética
Segundo a Intel, o 18A-P entrega até 9% mais desempenho mantendo o mesmo consumo de energia ou até 18% menos consumo mantendo o mesmo desempenho, tomando como referência um bloco padrão de núcleo ARM em comparação com o 18A.
A tecnologia utiliza a mesma base de transistores GAA e alimentação traseira de energia (backside power) do 18A.
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Além disso, mantém compatibilidade total com as regras de projeto do processo anterior, possibilitando reutilizar propriedades intelectuais (IP) e fluxos de desenvolvimento já existentes.
A Intel também aponta ganhos em aplicações de inteligência artificial, computação de alto desempenho (HPC) e novas cargas de processamento que operam com baixa tensão.
Outro avanço citado é uma melhoria entre 20% e 40% na resistência térmica com o uso de materiais atualizados e ferramentas de automação de projeto.
A resistência das conexões verticais internas do chip, conhecidas como vias através do silício (TSV), também recebeu melhorias entre 10% e 30%.
Principais recursos do Intel 18A-P
Entre os recursos anunciados para o 18A-P estão:
- Até 9% mais desempenho no mesmo consumo de energia ou até 18% menos consumo no mesmo nível de desempenho em comparação ao Intel 18A.
- Novo Power Boost, uma opção de transistor de baixa resistência com contato duplo que aumenta a corrente elétrica e a frequência de operação.
- Melhoria de 20% a 40% na resistência térmica por meio de novos materiais e ajustes de projeto.
- Redução de 10% a 30% na resistência das vias internas do chip.
- Aprimoramento da mobilidade elétrica em transistores PMOS por meio de técnicas de engenharia de tensão.
- Novas opções de transistores voltadas para baixo consumo e alto desempenho.
- Inclusão de uma quinta opção de tensão limiar (Vt) entre os perfis ULVT e LVT.
- Compatibilidade total com as regras de projeto do Intel 18A.
- Suporte para células de 160nm e 180nm, com passo de poli-contato de 50nm.
Power Boost é o principal diferencial
O recurso Power Boost foi apresentado pela Intel como a primeira implementação da indústria de uma arquitetura de contato duplo em transistores. A tecnologia utiliza o sistema PowerVia de alimentação traseira para transistores NMOS e PMOS.
Com essa abordagem, o 18A-P consegue aumentar o desempenho sem ampliar a área ocupada pelo circuito, característica importante para aplicações limitadas pelo consumo de energia. O processo continuará oferecendo células de transistores de 160nm e 180nm.
Alimentação traseira continua sendo um foco importante
Outro ponto de atenção da Intel é a evolução da alimentação traseira de energia. Com essa tecnologia, grande parte das linhas de distribuição elétrica é movida para a parte traseira do wafer, reduzindo o congestionamento das conexões na superfície frontal do chip.
Segundo a empresa, essa abordagem pode reduzir a área ocupada em até 11%, além de diminuir o comprimento das conexões e a quantidade de vias utilizadas.
O 18A-P continua utilizando processos metálicos de 32nm para a alimentação traseira, o que ajuda a reduzir custos de projeto e etapas de fabricação nos chips de próxima geração.
Pesquisas apresentadas pela Intel Foundry
Além do 18A-P, a Intel apresentou outros trabalhos de pesquisa durante o VLSI 2026. Circuitos de gerenciamento de energia com GaN e silício
Em parceria com a Universidade da Califórnia em San Diego, a Intel demonstrou a viabilidade de construir circuitos digitais de controle com milhares de portas lógicas utilizando uma combinação híbrida de transistores GaN nMOS e silício pMOS em um processo de fabricação de 300 mm.
A equipe registrou um produto potência-atraso (PDP) de apenas 6,2 attojoules por estágio, mais de mil vezes superior às abordagens anteriores baseadas em lógica GaN. O trabalho também apresentou a maior integração lógica em GaN já demonstrada até o momento.
Integração de transistores CFET
A empresa também mostrou circuitos funcionais utilizando transistores CFET 3D com passo de porta de 45nm. Essa arquitetura combina transistores NMOS e PMOS empilhados verticalmente para aumentar a densidade de componentes.
O projeto inclui alimentação traseira de energia, contatos traseiros diretos e conexões verticais compactas. A Intel também apresentou técnicas que reduzem a complexidade de fabricação e ampliam a flexibilidade de projeto.
Novas interconexões de rutênio com airgap
Outra pesquisa mostrou um sistema de interconexão baseado em fios de rutênio (Ru) com espaços de ar entre as conexões.
De acordo com a Intel, a tecnologia entrega cerca de 2% mais desempenho em circuitos quando comparada às interconexões tradicionais de cobre, graças a uma redução de até 35% na capacitância.
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A resistência das vias inferiores e superiores também caiu em até 50%, melhorando a transmissão de sinais dentro do chip.
Diamond Rapids será fabricado no 18A-P
Durante a Computex 2026, a Intel anunciou oficialmente os processadores Xeon Diamond Rapids, que serão produzidos utilizando o processo 18A-P.
A escolha do 18A-P para uma futura geração de processadores da própria Intel é mais um indicativo da confiança da empresa na tecnologia, tanto para clientes externos quanto para produtos internos.
Relatórios recentes também apontam que a Intel Foundry já atraiu empresas como a TeraFab, a SpaceX e a Apple. Além delas, companhias como a NVIDIA e a Google são apontadas como possíveis usuárias dos serviços da Intel Foundry diante da crescente demanda por chips voltados à inteligência artificial.
