A Samsung revelou suas mais recentes inovações em tecnologia de memória no evento Memory Tech Day 2023, trazendo grandes saltos em termos de desempenho e eficiência.
Memória Samsung HBM3E "Shinebolt" para IA e data centers
A Samsung, conhecida por suas contribuições à indústria de memória, apresentou o HBM3E, codinome "Shinebolt", sua mais recente aposta para o mercado de IA e data centers.
Essa tecnologia de DRAM de última geração é projetada para impulsionar aplicações de Inteligência Artificial (IA) e data centers, melhorando a eficiência operacional e acelerando o treinamento e inferência de modelos de IA.
O HBM3E possui uma velocidade incrível de 9,8 gigabits por segundo (Gbps) por pino, permitindo taxas de transferência superiores a 1,2 terabytes por segundo (TBps).
Além disso, a Samsung otimizou a tecnologia de filme não condutor (NCF) para aprimorar o empilhamento e as características térmicas.
As versões HBM3 de 8H e 12H da Samsung estão em produção em massa, e amostras do "Shinebolt" já estão sendo enviadas aos clientes.
A Samsung oferecerá um serviço personalizado que combina o HBM de próxima geração com tecnologias avançadas de embalagem e soluções de fundição.
Comparação de especificações de memória HBM
| DRAM | HBM1 | HBM2 | HBM2e | HBM3 | HBM3 Gen2 | HBMNext (HBM4) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| E/S (interface de barramento) | 1024 | 1024 | 1024 | 1024 | 1024-2048 | 1024-2048 |
| Pré-busca (E/S) | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| Largura de banda máxima | 128GB/s | 256GB/s | 460,8GB/s | 819,2GB/s | 1,2 TB/s | 1,5 2,0 TB/s |
| CIs DRAM por pilha | 4 | 8 | 8 | 12 | 8-12 | 8-12 |
| Capacidade máxima | 4GB | 8GB | 16 GB | 24GB | 24 36GB | 36-64GB |
| TRC | 48 segundos | 45ns | 45ns | A definir | A definir | A definir |
| tCCD | 2ns (=1tCK) | 2ns (=1tCK) | 2ns (=1tCK) | A definir | A definir | A definir |
| PPV | VPP externo | VPP externo | VPP externo | VPP externo | VPP externo | A definir |
| VDD | 1,2V | 1,2V | 1,2V | A definir | A definir | A definir |
| Entrada de comando | Duplo | Duplo | Duplo | Duplo | Duplo | Duplo |
Samsung GDDR7 32 Gbps e 32 Gb DRAM para gráficos de jogos de última geração
A memória GDDR7 oferece um aumento de desempenho de 40% e uma melhoria de eficiência energética de 20% em comparação com a DRAM GDDR6 atual. Isso é particularmente significativo para jogos de última geração e GPUs de IA.
A GDDR7 alcança velocidades de transferência de até 32 Gbps, representando um aumento de 33% em relação à GDDR6 e atingindo até 1,5 TB/s de largura de banda em uma solução de barramento de 384 bits.
A memória também oferece eficiência energética aprimorada e uma opção de baixa tensão para laptops. Para manter a temperatura sob controle, a Samsung utiliza um composto de moldagem epóxi (EMC) com alta condutividade térmica, reduzindo a resistência térmica em até 70%.
Evolução da memória GDDR
| MEMÓRIA GRÁFICA | GDDR5X | GDDR6 | GDDR6X | GDDR7 |
|---|---|---|---|---|
| Carga de trabalho | Jogos | Jogos / IA | Jogos / IA | Jogos / IA |
| Plataforma (exemplo) | GeForce GTX 1080Ti | GeForce RTX 2080 Ti | GeForce RTX 4090 | GeForce RTX 5090? |
| Número de canais | 12 | 12 | 12 | 12? |
| GB/s/pino | 11.4 | 14-16 | 19-24 | 32-36 |
| GB/s/posicionamento | 45 | 56-64 | 76-96 | 128-144 |
| GB/s/sistema | 547 | 672-768 | 912-1152 | 1536-1728 |
| Configuração (Exemplo) | 384 IO (pacote de 12 unidades x 32 IO) | 384 IO (pacote de 12 unidades x 32 IO) | 384 IO (pacote de 12 unidades x 32 IO) | 384 IO (pacote 12pcs x 32 IO)? |
| Buffer de quadro de sistema típico | 12 GB | 12 GB | 24GB | 24GB? |
| Potência média do dispositivo (pJ/bit) | 8,0 | 7,5 | 7h25 | A definir |
| Canal IO típico | PCB (P2PSM) | PCB (P2PSM) | PCB (P2PSM) | PCB (P2PSM) |
Samsung LPDDR5x para módulos CAMM2 de última geração
A Samsung lançou o primeiro chip LPDDR5X CAMM2 do setor, com velocidade de 7,5 Gbps, ideal para PCs e laptops de próxima geração. Essa memória oferece alto desempenho, alta capacidade e baixo consumo de energia.
Além disso, a Samsung apresentou o LPDDR5X de 9,6 Gbps, um DRAM especializado para Inteligência Artificial, bem como soluções de próxima geração Universal Flash Storage (UFS) e o SSD BM9C1 de célula de nível quádruplo (QLC) de alta capacidade para PCs.
Essas inovações reforçam o compromisso da Samsung em impulsionar o avanço tecnológico no campo da memória, atendendo às demandas de aplicações de IA, jogos, data centers e dispositivos móveis de última geração.
Atualizações de tecnologia de memória GPU
| Nome da placa gráfica | Tecnologia | Velocidade | Barramento | Largura de banda | Ano |
|---|---|---|---|---|---|
| AMD Radeon R9 Fúria X | HBM1 | 1,0 Gbps | 4096 bits | 512GB/s | 2015 |
| NVIDIA GTX 1080 | GDDR5X | 10,0 Gbps | 256 bits | 320 GB/s | 2016 |
| NVIDIATesla P100 | HBM2 | 1,4Gb/s | 4096 bits | 720 GB/s | 2016 |
| NVIDIA Titan XP | GDDR5X | 11,4Gb/s | 384 bits | 547GB/s | 2017 |
| AMD RX Vega 64 | HBM2 | 1,9Gb/s | 2048 bits | 483GB/s | 2017 |
| NVIDIA Titã V | HBM2 | 1,7Gbps | 3072 bits | 652GB/s | 2017 |
| NVIDIATesla V100 | HBM2 | 1,7Gbps | 4096 bits | 901GB/s | 2017 |
| NVIDIA RTX 2080Ti | GDDR6 | 14,0 Gbps | 384 bits | 672GB/s | 2018 |
| AMD Instinto MI100 | HBM2 | 2,4Gb/s | 4096 bits | 1229GB/s | 2020 |
| NVIDIA A100 80GB | HBM2e | 3,2Gb/s | 5120 bits | 2.039GB/s | 2020 |
| NVIDIA RTX 3090 | GDDR6X | 19,5Gbps | 384 bits | 936,2GB/s | 2020 |
| AMD Instinto MI200 | HBM2e | 3,2Gb/s | 8192 bits | 3.200GB/s | 2021 |
| NVIDIA RTX 3090Ti | GDDR6X | 21,0 Gbps | 384 bits | 1008GB/s | 2022 |
| NVIDIA H100 80GB | HBM3/E | 2,6Gb/s | 5120 bits | 1681GB/s | 2022 |
