A expectativa em torno da nova linha Galaxy S26 está ganhando mais pontos. Depois de o Galaxy S25 ter chamado atenção principalmente por seus recursos de inteligência artificial, a Samsung parece pronta para entregar um salto considerável em desempenho.
Um vazamento recente animou ainda mais quem acompanha o setor. O Galaxy S26 Ultra deve receber um grande upgrade na memória RAM, algo que pode agradar tanto quem joga no celular quanto quem usa vários aplicativos ao mesmo tempo.
Segundo o conhecido leaker Ice Universe, o modelo virá com a mais recente memória LPDDR5X da Micron, capaz de atingir impressionantes 10,7 Gbps de velocidade. Para comparação, o Galaxy S25 Ultra oferecia 9,6 Gbps.
Pode parecer uma diferença pequena no papel, mas, na prática, isso significa mais rapidez na abertura de apps, transições mais fluidas e mais estabilidade em tarefas pesadas. Essa evolução vem graças à nova arquitetura 1γ (1-gamma) da Micron.
Ela entrega mais eficiência energética e melhor desempenho multitarefa em relação à geração anterior, chamada 1β (1-beta). O resultado é um celular que consegue lidar com processos mais complexos sem esgotar a bateria tão rápido.
O Galaxy S26 Ultra também deve estrear o chip Snapdragon 8 Elite 2. A combinação desse processador com a memória mais veloz pode colocar o aparelho em um patamar de performance muito superior ao do modelo atual.
Com concorrentes cada vez mais investindo em mais memória e armazenamento rápido, a Samsung parece determinada a não apenas acompanhar, mas estabelecer um novo padrão para o mercado Android em 2026.
O ganho de eficiência e potência não só deve melhorar a vida útil da bateria como garantir que o celular mantenha um desempenho estável mesmo sob carga intensa.
