A CXMT planeja lançar uma memória com arquitetura de células 4F² até o fim de 2026. Com essa mudança, a empresa passaria do processo de fabricação de DRAM 1c para o 1d, mas ainda há dúvidas sobre sua capacidade de produzir chips sem defeitos em quantidade suficiente para começar as vendas neste ano.
Os planos tiveram grande repercussão nos últimos dias e já provocaram uma forte queda no KOSPI, índice da bolsa da Coreia do Sul.
Analistas e investidores avaliam a possibilidade de a fabricante superar concorrentes até então mais bem posicionadas.
CXMT prevê memória DDR5 RDIMM com arquitetura 4F² em 2026
O presidente da CXMT, Dr. Cao Kanyu, falou recentemente sobre os avanços da empresa na arquitetura DRAM 4F² durante a 4ª Conferência de Chips Integrados e Chiplets, em Xangai. Ele também abordou outras tecnologias, como a ligação híbrida de componentes, conhecida como hybrid bonding.
Durante a apresentação, Kanyu disse que a CXMT vai lançar um módulo de memória DDR5 RDIMM com células 4F² até o fim de 2026. O prazo fica cerca de dois anos à frente do cronograma da Samsung para a adoção dessa arquitetura.
Como a arquitetura 4F² reduz a área das células de memória
Cada célula de memória tem um transistor e um capacitor. Na arquitetura 4F², esses componentes ficam organizados na vertical, em vez de lado a lado. Isso reduz a área que cada célula ocupa na superfície do chip.
A célula passa a ocupar uma área quadrada equivalente a quatro vezes o quadrado da menor dimensão do processo de fabricação, ou 4 × F².
A estrutura tem exatamente duas linhas de bits e duas linhas de palavras, conexões usadas para operar os transistores de cada célula.
Só essa mudança reduziria a área das células de DRAM em 30% a 40% e aumentaria a densidade de células em cada chip em 30% a 50%.
Watching people freak out over CXMT's 4F² and claim that CXMT has caught up with Western memory technology is honestly laughable.
CXMT has hit the limits of DUV scaling. What it is trying to do is move from 6F² to 4F² at the relatively relaxed 13 to 14nm node so it can extend…
— Jukan (@jukan05) October 13, 2026
Produção ainda gera dúvidas sobre a transição para a DRAM 1d
Apesar da redução de área, a adoção da arquitetura 4F² ainda passa por dificuldades. O especialista em semicondutores Fred Chen disse que o projeto deixa pouco espaço para acomodar as espessuras de quatro partes da célula: a camada isolante do capacitor, a porta do transistor, a camada isolante dessa porta e o corpo do transistor.
Segundo Chen, se a CXMT resolver esses problemas, poderá reduzir as dimensões de seu processo de fabricação de DRAM e passar da geração 1c para a 1d.
BofA Analyst Simon Woo states that CXMT has targetted an early lead in 4F² DRAM, however notes that Micron, Samsung, and SK Hynix have developed 4F² over the past 10 years and notes that they don't attempt mass production due to low yelds, high costs, customer qualification… pic.twitter.com/HqcS7DtC6s
— Revolver Ocelot (@MajorOcelot45) October 13, 2026
Alguns analistas, porém, ainda duvidam de que a empresa consiga realizar essa tarefa. Samsung, Micron e SK hynix tentam viabilizar a produção comercial da arquitetura 4F² há dez anos, sem grandes avanços na proporção de chips fabricados sem defeitos.
A CXMT tem cerca de 300 patentes relacionadas à arquitetura 4F² e unidades de demonstração em funcionamento desde pelo menos 2023. Com esses avanços, a empresa pode conseguir cumprir seus planos.
