A CXMT pode ter dado seu maior passo até agora rumo ao processo 1a de DRAM e às gerações seguintes. A fabricante chinesa começou a aplicar um material avançado nos transistores de memória para reduzir a fuga de corrente, uma mudança que abre espaço para processos de fabricação menores.
CXMT adota tecnologia High-k Metal Gate em transistores de DRAM
Conforme os componentes chegam à escala de poucos nanômetros, as tradicionais camadas isolantes de dióxido de silício (SiO₂) perdem eficiência.
Elas ficam tão finas que a corrente elétrica pode atravessar o material por meio do chamado tunelamento quântico. Para contornar isso, a CXMT aparentemente passou a usar a tecnologia High-k Metal Gate (HKMG).
Ela substitui o antigo isolante baseado em silício por materiais como o óxido de háfnio (HfO₂). O "k" da sigla representa a constante dielétrica, uma medida relacionada à capacidade de isolamento elétrico de um material.
Como o óxido de háfnio possui um valor de k bem maior que o dióxido de silício, o material possibilita reduzir ainda mais as dimensões do processo de DRAM mantendo uma quantidade maior de carga elétrica na mesma tensão.
A tecnologia HKMG também troca o antigo eletrodo de porta feito de polissilício por conjuntos de metais projetados para essa função.
Put simply, the biggest technical bottleneck preventing CXMT from moving to the 1α node and beyond has now been removed. https://t.co/OUnW04eCpS
— Jukan (@jukan05) August 27, 2026
Com isso, elimina o chamado "polysilicon depletion", uma região eletricamente inativa que reduz a eficiência do transistor. As matrizes de DRAM são formadas por bilhões de células minúsculas.
Cada uma combina um transistor, responsável por controlar a passagem da corrente, e um capacitor, que armazena a carga elétrica correspondente aos dados. Nesse cenário, o HKMG reduz a fuga de corrente e a geração de calor associada a essa perda de energia.
A tecnologia também melhora a eficiência energética e abre espaço para frequências maiores, já que os transistores conseguem alternar entre seus estados em menos tempo do que seria possível com portas de polissilício.
A CXMT aparentemente já aplica a tecnologia em seu processo G4 de DRAM, amplamente associado ao nó 1z, além de produtos LPDDR5X.
Esse avanço sustenta a avaliação de que a fabricante está próxima da transição para o processo 1a. Outro ponto nessa direção é o desenvolvimento do processo G5 de DRAM de 15nm, que representa a próxima geração da empresa.
HBM3 e DDR6 também avançam nos planos da CXMT
A CXMT também estaria na fase de produção de risco de memórias HBM2E, terceira geração da tecnologia HBM, usando seu processo G3 de DRAM de 18nm.
Ao mesmo tempo, a fabricante já distribui amostras de HBM3 produzidas com o processo G4. Seus chips de memória DDR6 também concluíram a etapa de verificação de pesquisa e desenvolvimento, ficando mais próximos da produção em massa.
Os movimentos da CXMT acontecem enquanto Samsung, SK hynix e Micron, conhecidas como as "Big Three" do mercado de memória, avançam para o processo D0a abaixo de 10nm.
As três empresas também trabalham com conceitos como DRAM 3D, baseada no empilhamento vertical de células, e a arquitetura 4F².
Nesse modelo, os componentes de uma célula de memória, formada por um transistor e um capacitor, são organizados verticalmente em vez de lado a lado.
A mudança reduz a área ocupada pela célula para um quadrado equivalente a quatro vezes o tamanho mínimo do recurso ao quadrado, ou 4 × F².
A estrutura possui duas bitlines e duas wordlines. Essas interconexões são usadas para controlar os transistores presentes em cada célula de memória.
Capacidade da CXMT pode chegar a 800 mil wafers por mês
Além dos avanços nos processos de fabricação, a CXMT também amplia sua capacidade industrial. A empresa planeja chegar a 300 mil wafers por mês até o fim deste ano, contra cerca de 200 mil wafers mensais atualmente.
Desse total, aproximadamente 50 mil wafers por mês seriam destinados à produção ligada a memórias HBM. A fabricante também constrói duas novas fábricas em Xangai e Hefei. Com essas unidades, sua capacidade de produção pode chegar a 600 mil wafers por mês.
More than 5x DRAM capacity increase from 2024 to 2031.
What node will those wafers be running in CXMT? pic.twitter.com/Mvg1wDwY2d
— John Intel (@intelfabs) August 27, 2026
As projeções ainda indicam que a CXMT pode superar a Micron em volume de produção até 2030. Entre 2026 e 2031, a capacidade da empresa deve crescer em aproximadamente 100 mil wafers mensais por ano.
Ao fim desse período, a CXMT poderá alcançar uma capacidade total de 800 mil wafers por mês, consolidando uma expansão industrial de grande escala no mercado de memórias DRAM.
