A expansão da infraestrutura de inteligência artificial acompanha uma diferença de preços no setor, a memória DRAM 1b custa mais por área que o wafer N2, de 2nm, da TSMC.
Cada milímetro quadrado de DRAM 1b custa cerca de US$ 0,654, ou R$ 3,41. No N2, o valor é de US$ 0,424, cerca de R$ 2,21. A diferença chega a 54%, mesmo com a fabricação mais simples da memória.
Como os preços da DRAM e dos wafers da TSMC se comparam
Segundo dados da Kernel Insight citados pelo ZDNet, um wafer N3, de 3nm, da TSMC com 300 milímetros de diâmetro custa cerca de US$ 20 mil, ou R$ 104,3 mil. Já um wafer N2 do mesmo tamanho custa aproximadamente US$ 30 mil, ou R$ 156,4 mil.
O wafer é a lâmina de silício usada na fabricação dos chips. Por milímetro quadrado, os valores ficam em US$ 0,283, ou R$ 1,48, para o N3 e US$ 0,424, ou R$ 2,21, para o N2.
A DRAM 1b tem densidade de 0,436 GB por mm², medida que indica a quantidade de bits nessa área. Com o preço de referência de US$ 1,50 por Gb, ou R$ 7,82, a conta chega a US$ 0,654 por mm².
Here is CXMT G5 compared to Big 3's D1b & D1c products. Note the feature size & cell size + bid density likely to slot in bw 1b & 1c.
Consider that 1b DRAM wafers now fetch even higher ASP than TSMC N2.
CXMT will be scaling up G4 & G5 production over the next couple of yrs.… pic.twitter.com/rAgUuEHuV4
— tphuang (@tphuang) September 21, 2026
Em 21 de setembro, a DRAM Exchange divulgou o preço de US$ 24,80, cerca de R$ 129,29, para uma memória DDR5 eTT de 16 GB.
Isso equivale a aproximadamente US$ 1,55 por Gb, ou R$ 8,08. Portanto, o valor de US$ 1,50 por GB usado na comparação é uma estimativa adequada.
Até a DRAM 1z, de várias gerações atrás, fica próxima do N2 por área. Sua densidade é de 0,273 GB por mm², com valor estimado de US$ 0,410, ou R$ 2,14, por mm².
Falta de DRAM mantém preços acima do N2
Fabricar DDR5 é bem mais simples que produzir uma área equivalente de silício com o processo N2 da TSMC. Ainda assim, a DDR5 1b custa cerca de 50% a mais por mm².
Essa diferença reflete a escassez persistente de DRAM convencional. Também não há previsão de que os preços voltem ao normal no curto prazo.
Próxima geração da Samsung pode ter preço ainda maior
O processo B1b da Samsung, renomeado oficialmente para D0a, será o primeiro da empresa para fabricar DRAM abaixo de 10nm.
O plano é produzir as células de memória e os circuitos de controle ao redor delas, conhecidos como peri, em wafers separados.
Depois, as duas lâminas serão unidas por uma técnica chamada ligação híbrida entre wafers. Assim, as células de memória ficarão empilhadas sobre os circuitos de controle.
Samsung Electronics Revises Roadmap for Next Generation DRAM "D0a," Pulls Hybrid Bonding Forward
Samsung Electronics has revised its next generation DRAM development strategy. The company recently moved "B1b," a technology that had been under development as a standalone project,…
— Jukan (@jukan05) September 23, 2026
Como essa técnica de união custa caro, a projeção é que a Samsung cobre um preço muito maior pela próxima geração de DRAM.
