O Samsung Galaxy S26 pode receber uma atualização importante de armazenamento no próximo ano graças ao chipset Snapdragon 8 Elite Gen 5, de acordo com um relatório do WccfTech.
A grande diferença em relação ao modelo anterior, o Snapdragon 8 Elite, é o suporte ao UFS 4.1, padrão de memória flash que tem mais velocidade e eficiência para o dispositivo.
Isso significa que o Galaxy S26 pode ter inicialização mais rápida, melhor gerenciamento de cache e recuperação de erros de memória mais eficiente, trazendo uma experiência mais fluida em tarefas que usam IA diretamente no aparelho.
A Samsung deve lançar ainda este ano o Exynos 2600, mas não há confirmação se ele também vai suportar o UFS 4.1, embora o Exynos 2500 já ofereça UFS 4.0, dando esperanças de que a nova geração acompanhe a evolução.
A empresa sul-coreana costuma usar chips de memória da Micron, que anunciou sua tecnologia UFS 4.1 neste ano, então não é improvável que essa parceria continue nos próximos modelos.
Porém, nem sempre a linha Galaxy segue à risca todas as melhorias de hardware. Por exemplo, o Galaxy S25 de 128GB usa UFS 3.1, enquanto quem quer a memória mais rápida precisa optar pela versão de 256GB.
Ou seja, mesmo com o Snapdragon 8 Elite Gen 5 chegando ao Galaxy S26, não existem garantias de que todos os modelos venham com UFS 4.1 de fábrica, então é preciso acompanhar os próximos anúncios da Samsung.
