A SK Hynix iniciou o envio de amostras da sua próxima geração de memória HBM4E, que chega com capacidade de até 48 GB e velocidades de até 16 Gbps.
SK Hynix acelera disputa com a Samsung na corrida pela HBM4E para data centers de IA
O avanço da inteligência artificial tem levado fabricantes de memória DRAM a acelerar seus cronogramas de desenvolvimento.
Nesse cenário, a SK Hynix disputa com a Samsung a entrega das primeiras soluções HBM4E para parceiros que irão utilizá-las em data centers de nova geração.
A memória HBM4E terá papel importante nos próximos sistemas voltados para IA, já que será usada em chips como o NVIDIA Rubin Ultra e o AMD Instinct MI500.
As duas plataformas têm potencial para movimentar o mercado de inteligência artificial nos próximos anos, levando os fabricantes de memória a ampliar seus investimentos nessa área. O envio das amostras acontece poucas semanas após a Computex 2026, quando a SK Hynix exibiu a HBM4E pela primeira vez.
Na ocasião, a empresa mostrou modelos com capacidade de até 48 GB e velocidades de até 16 Gbps. A Samsung também apresentou suas tecnologias HBM4E e HBM5, incluindo soluções com HPB (Heat Path Block).
| Especificação | HBM4E (48 GB, 12 camadas) | HBM4 (48 GB, 16 camadas) | HBM3E (36 GB, 12 camadas) |
|---|---|---|---|
| Capacidade | 48 GB | 48 GB | 36 GB |
| Empilhamento | 12 camadas | 16 camadas | 12 camadas |
| Densidade dos chips | Melhoria de 1,5x | +33% por chip | — |
| Largura de banda por pino | 3,2 Gbps (+50%) | Até 16 Gbps | 1,2 Gbps (+20%) |
| Largura de banda da memória | 1,5 TB/s | Superior para cargas de IA | 1,2 TB/s |
| Canais de I/O | x1024 | x2048 | x1024 |
| Tensão | 1,2 V | 1,2 V | 1,2 V |
| Eficiência | Ganho de densidade de 1,5x | +40% de eficiência energética | +10% de eficiência energética |
| Processo de fabricação | — | TSMC N3E | — |
Em comunicado oficial, a SK Hynix informou que enviou amostras da HBM4E, sua memória DRAM de próxima geração voltada para inteligência artificial, para grandes clientes.
"A empresa conseguiu entregar as amostras da HBM4E de 12 camadas dentro do cronograma graças à sua experiência em desenvolvimento e produção de memórias HBM", informou a SK Hynix.
A companhia também declarou que trabalhará em conjunto com seus parceiros para iniciar a produção em massa dentro dos prazos planejados. A HBM4E de 12 camadas apresenta avanços em desempenho e eficiência energética.
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O produto alcança velocidade máxima de processamento de dados de 16 Gbps por pino e registra eficiência energética mais de 20% superior em comparação com modelos anteriores. Segundo a empresa, essas melhorias aumentam a capacidade de processamento para treinamento e inferência de IA.
A nova memória também reduz a latência na transferência de dados por meio de uma interface atualizada e de otimizações de projeto, mantendo operação estável em ambientes de alta largura de banda.
Com isso, clientes podem aumentar a eficiência do processamento de dados em data centers de IA e sistemas de computação de grande porte.
Para a HBM4E, a SK Hynix utiliza a tecnologia Advanced MR-MUF, que possibilita atingir 48 GB de capacidade em um empilhamento de 12 camadas mantendo a estabilidade estrutural.
A empresa informa ainda que a resistência ao calor foi ampliada em 17% em relação à HBM4, contribuindo para o funcionamento estável dos chips de memória em ambientes de computação de alto desempenho.
A SK Hynix informa que já forneceu soluções de memória otimizadas com base na experiência adquirida na produção e distribuição em larga escala das gerações HBM3, HBM3E e HBM4.
Com base na confiabilidade de seus produtos e em sua capacidade de fornecimento, a companhia pretende apoiar o desenvolvimento da próxima geração de infraestrutura para IA e reduzir gargalos presentes nesses sistemas.
