A Samsung está avançando nos planos para fabricar sua próxima geração de memória DRAM, segundo informações divulgadas pela imprensa sul-coreana.
A tecnologia 1d representa o estágio mais recente da indústria e corresponde ao processo 1-delta utilizado pela Micron.
Atualmente, a empresa discute o planejamento de equipamentos com parceiros de fabricação para iniciar a produção em massa já no fim de 2027.
Samsung avalia capacidade interna para produzir DRAM 1d
Fontes do setor ouvidas pelo ZDNet Korea informaram que a Samsung trabalha com parceiros no desenvolvimento dos equipamentos necessários para a próxima geração de DRAM.
Hoje, os chips de memória mais avançados da empresa são fabricados com a tecnologia 1c DRAM, considerada a etapa mais avançada dos processos horizontais de fabricação de memória.
A tecnologia 1c utiliza amplamente litografia ultravioleta extrema (EUV) e portas metálicas, aproveitando a experiência da Samsung em processos de fabricação de chips lógicos.
As mesmas fontes indicam que a fabricante pretende instalar os novos equipamentos em suas fábricas a partir do segundo trimestre de 2027.
Caso consiga cumprir esse cronograma, os primeiros chips produzidos com a nova tecnologia poderão sair das linhas de produção durante a segunda metade daquele ano.
Produção em massa pode começar no fim de 2027
A DRAM 1d representa uma mudança em relação aos processos tradicionais. A tecnologia adiciona mais complexidade à fabricação ao utilizar uma pastilha separada para os circuitos periféricos e integrá-la à pastilha que contém os circuitos das células de memória.
Com a instalação das máquinas prevista para o primeiro semestre de 2027, a produção em massa dos novos chips poderá começar ainda na segunda metade do ano.
As fontes consultadas pelo ZDNet acrescentam que a Samsung deve definir seus planos de produção em escala até o fim de 2026. A importância da memória na cadeia global de semicondutores cresceu com a expansão da inteligência artificial.
Chips voltados para IA dependem de memórias de alta largura de banda (HBM), produzidas por meio do empilhamento de vários chips DRAM.
Atualmente, a memória 1c DRAM da Samsung é utilizada na geração mais recente de memórias HBM4. Fontes da indústria acreditam que os futuros chips 1d poderão integrar as memórias HBM5E.
A Samsung optou por não utilizar gerações anteriores de DRAM em suas soluções HBM e combinou a memória 1c com dies produzidos internamente usando o processo de fabricação de 4 nanômetros.
