A Samsung apresentou o padrão de armazenamento UFS 5.0, que chega com velocidades de leitura e gravação mais de duas vezes maiores que as do UFS 4.1.
A empresa informa que a tecnologia também melhora a eficiência energética, o que pode favorecer o uso de recursos de inteligência artificial executados diretamente no dispositivo.
UFS 5.0 dobra a velocidade de leitura em relação ao UFS 4.1
Segundo a Samsung, o UFS 5.0 segue o padrão mais recente de interface de memória embarcada da JEDEC e alcança largura de banda de até 10,8 GB/s.
A empresa informou que o novo padrão atinge velocidade de leitura sequencial de até 10,8 GB/s e velocidade de gravação sequencial de até 9,5 GB/s.
Esses números representam mais do que o dobro do desempenho registrado pelo padrão UFS 4.1. Com essa largura de banda maior, o armazenamento consegue processar volumes maiores de dados com mais rapidez.
De acordo com a Samsung, isso ajuda no funcionamento de modelos de inteligência artificial executados diretamente no aparelho.
Além do ganho em desempenho, a fabricante disse que o UFS 5.0 é cerca de 40% mais eficiente em consumo de energia que o UFS 4.1.
Segundo a empresa, isso foi possível graças à adoção de tecnologias como clock gating e operação com múltiplas tensões.
Produção começa no fim de 2026
A Samsung também reduziu o tamanho físico do novo componente. O módulo mede 7,5 mm × 13 mm × 0,9 mm, ficando cerca de 16,7% menor que a geração anterior.
A produção em massa das versões com capacidade de até 1 TB está prevista para começar no quarto trimestre de 2026.
Both SM8975 and SM8950 will support UFS 5.0 (Gear 6 2 Lanes) https://t.co/MbNdDzNaj8
— Reptalica (@Reptalicant) June 22, 2026
Enquanto isso, o informante Reptalica publicou que os chips SM8975 e SM8950, nomes internos dos processadores Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro e Snapdragon 8 Elite Gen 6, já terão compatibilidade com o UFS 5.0.
Também existe a possibilidade de o MediaTek Dimensity 9600 Pro e o Samsung Exynos 2700 adotarem o novo padrão de armazenamento.
