CEO da Intel afirma que o nó 18A está à frente do 2nm da TSMC

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A Intel, uma das maiores empresas de fabricação de semicondutores do mundo, está confiante em sua nova tecnologia de produção de chips, chamada de nó 18A.

Segundo o CEO da Intel, Pat Gelsinger, o nó 18A tem potencial para superar o nó 2nm da TSMC, sua principal concorrente, tanto em desempenho quanto em prazo de lançamento1

O nó 18A é a última etapa de um plano ambicioso da Intel de lançar cinco nós de produção em quatro anos, buscando recuperar a liderança no mercado de semicondutores.

O nó 18A será o primeiro da Intel a usar transistores do tipo RibbonFET, que são mais eficientes e permitem maior densidade de transistores por chip.

Além disso, o nó 18A também contará com uma inovação chamada PowerVia, que consiste em entregar energia aos transistores pela parte de trás do chip, reduzindo a resistência elétrica e melhorando o desempenho.

Gelsinger afirmou que o nó 18A está seis meses adiantado em relação ao cronograma original e que deve entrar em produção em massa em 2025.

Ele também disse que o transistor RibbonFET da Intel tem um desempenho comparável ao transistor da TSMC no nó 2nm, mas que o PowerVia é uma vantagem significativa da Intel sobre a concorrente.

"Anunciamos duas grandes inovações com 18A: um novo transistor e alimentação traseira. Acho que todo mundo está olhando para o transistor do N2 da TSMC versus o nosso 18A. Não está claro se um é dramaticamente melhor que o outro. Veremos quem é o melhor. Mas a entrega de energia traseira, todo mundo diz que a Intel, pontua. Você está anos à frente da concorrência. Isso é poderoso. Isso é significativo. Oferece melhor eficiência de área para silício, o que significa menor custo. Oferece melhor entrega de energia, o que significa maior desempenho. Então, eu tenho um bom transistor. Tenho uma ótima entrega de energia. Acho que estou um pouco à frente do N2, a próxima tecnologia de processo da TSMC no tempo", disse Pat Gelsinger.

A TSMC, por sua vez, também está desenvolvendo sua tecnologia de nó 2nm, que deve usar transistores do tipo Nanosheet, uma variação do conceito de Gate-All-Around (GAA). A TSMC espera iniciar a produção de risco do nó 2nm no final de 2024 e a produção em massa em 202545

A disputa entre a Intel e a TSMC pelo domínio do mercado de semicondutores promete ser acirrada nos próximos anos, com ambas as empresas investindo bilhões de dólares em pesquisa e desenvolvimento, além de expansão de capacidade.

Os benefícios dessa competição devem chegar aos consumidores finais, que poderão contar com chips mais rápidos, eficientes e baratos para seus dispositivos eletrônicos.

Via: Barron's