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Samsung avança rumo à NAND de 1.000 camadas com primeiro protótipo V-NAND de 900 camadas

Samsung desenvolveu protótipo de memória V-NAND com 900 camadas, avançando em tecnologia de armazenamento.
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A Samsung está mais próxima de sua tecnologia V-NAND de 1.000 camadas após concluir o primeiro protótipo de 900 camadas. O avanço acontece em um momento de forte concorrência no mercado de memória flash.

Protótipo V-NAND de 900 camadas combina duas estruturas de 450 camadas

A Samsung é uma das principais fabricantes de semicondutores para armazenamento. Sua tecnologia V-NAND está entre as mais utilizadas do setor e, em 2024, a empresa já havia divulgado planos para desenvolver NAND de 1.000 camadas com o uso de novos materiais ferroelétricos.

Segundo o ETNews, a Samsung desenvolveu sua primeira tecnologia V-NAND de 900 camadas utilizando a tecnologia CMB (Cell Multi-Bonding). O método une duas estruturas de células com 450 camadas cada em um único dispositivo.

Com 900 camadas de V-NAND, a empresa poderá aumentar a capacidade de soluções de armazenamento, como SSDs, usados em servidores, desktops, notebooks, smartphones e outros equipamentos.

"Segundo a indústria de semicondutores no dia 25, a Samsung Electronics implementou recentemente um sistema integrado V-NAND da classe de 900 camadas utilizando a tecnologia Cell Multi-Bonding (CMB), que une dois wafers de células de 450 camadas em um único conjunto." — ETNews

Para atingir as 900 camadas, a Samsung precisou resolver alguns desafios técnicos. Um dos principais era a deformação dos wafers durante a fabricação. A empresa contornou a questão com a adoção do chamado Upper Chuck Design.

Também foram feitos ajustes para reduzir erros de alinhamento por meio de tecnologias de correção de sobreposição, conhecidas como Overlay Correction.

Samsung 3D V-NAND

Atualmente, a SK Hynix lidera a corrida tecnológica após ter sido a primeira fabricante a desenvolver e comercializar NAND de 321 camadas.

Os trabalhos para memórias NAND de 400 camadas já estão em andamento. A Samsung pretende utilizar a tecnologia Vertical Bonding, enquanto a SK Hynix segue com a abordagem Hybrid Bonding.

Ao mesmo tempo, a chinesa YMTC (Yangtze Memory Technologies Co.) acelera seus projetos na área. A empresa já comercializa memórias NAND de 294 e 232 camadas e reduz a diferença em relação a fabricantes como Samsung, SK Hynix e Micron.

A YMTC também investe na expansão de suas fábricas, com planos para dobrar sua capacidade atual de produção de wafers em um período de alta demanda impulsionada pelo crescimento das aplicações de inteligência artificial.

A estratégia de empilhamento utilizada para alcançar mais de 900 camadas ainda está em fase de protótipo, mas indica o caminho adotado pela indústria para ampliar a capacidade de armazenamento nos próximos anos.

A NAND de 1.000 camadas tem lançamento previsto para 2030, enquanto produtos com mais de 400 camadas devem chegar ao mercado antes dessa data.

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