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Samsung demonstra protótipo V‑NAND de 900 camadas

Samsung conclui primeiro protótipo V‑NAND de 900 camadas usando Cell Multi‑Bonding, avançando rumo à memória de 1.000 camadas prevista para 2030.

Romário Leite · 1 de junho de 2026
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Protótipo de 900 camadas concluído

A Samsung finalizou o primeiro protótipo V‑NAND com 900 camadas, marcando um passo importante rumo à memória de 1.000 camadas.
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Cell Multi‑Bonding une duas estruturas

A tecnologia CMB combina dois wafers de 450 camadas cada, formando um único dispositivo de 900 camadas.
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Soluções para deformação e alinhamento

Para evitar a curvatura dos wafers, a Samsung adotou o Upper Chuck Design e correções de overlay que reduzem erros de alinhamento.
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Impacto nos SSDs e dispositivos

Com 900 camadas, a capacidade de SSDs cresce, beneficiando servidores, desktops, notebooks e smartphones.
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Concorrência no mercado de NAND

A SK Hynix usa Hybrid Bonding, enquanto a chinesa YMTC produz NAND de 294 e 232 camadas e amplia suas fábricas.
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Próximos passos da Samsung

A empresa planeja lançar NAND de 1.000 camadas em 2030; chips com mais de 400 camadas devem chegar ao mercado antes disso.

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Samsung conclui primeiro protótipo V‑NAND de 900 camadas usando Cell Multi‑Bonding, avançando rumo à memória de 1.000 camadas prevista para 2030.

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