A fabricante norte-americana de memórias Micron acredita que a escassez de produtos HBM, NAND e DRAM deve continuar por vários anos, ultrapassando o calendário de 2026.
A avaliação foi compartilhada pelo JPMorgan em uma nota para investidores com base em informações apresentadas pela direção da empresa durante a 54ª Conferência Anual Global de Tecnologia, Mídia e Comunicações (TMC) do J.P. Morgan, realizada em Boston, nos Estados Unidos.
JPMorgan vê perspectiva positiva para o mercado de memória voltado à IA
Segundo o JPMorgan, a Micron informou durante o evento que espera um mercado de memória apertado mesmo após 2026. A empresa avalia que os chips de memória de alto desempenho são cada vez mais importantes para ampliar a capacidade dos modelos de inteligência artificial.
O banco também disse que a Micron considera difícil aumentar rapidamente a produção de HBM, NAND e DRAM. Por isso, a limitação entre oferta e demanda deve continuar por um período prolongado. De acordo com o JPMorgan, vários fatores contribuem para esse cenário.
Entre eles estão os ganhos de desempenho cada vez menores a cada nova geração de memória e o aumento do tamanho dos chips HBM mais recentes. Outro ponto citado é o uso crescente da litografia EUV na fabricação das memórias DRAM de última geração.
Micron divulga detalhes sobre a produção da memória HBM4
Ainda segundo o JPMorgan, executivos da Micron comentaram que a forte demanda ligada à inteligência artificial deve transformar o processo 1-gamma no nó DRAM de maior volume da história da companhia em número total de wafers produzidos.
As memórias HBM, amplamente utilizadas em GPUs para IA, são formadas pelo empilhamento de vários módulos DRAM em um único encapsulamento.
A empresa também informou que continua ampliando a integração da litografia EUV na produção das memórias fabricadas com o processo 1-gamma.
Na área de produção, a Micron revelou que o aumento da fabricação da HBM4 ocorre em um ritmo duas vezes mais rápido que o observado com a HBM3, impulsionado pela forte procura do setor de IA.
A companhia acrescentou que a memória HBM4E, próxima geração da tecnologia, deve iniciar sua expansão de produção em 2027. As primeiras amostras utilizarão módulos DRAM produzidos no processo 1-gamma.
Por fim, a Micron informou que o crescimento das janelas de contexto e das cargas de trabalho de inferência em inteligência artificial também contribuiu para o aumento de sua participação no mercado de unidades de estado sólido (SSD).
A empresa trabalha em conjunto com seus clientes para desenvolver soluções adaptadas às necessidades de cada projeto, em vez de comercializar apenas produtos padronizados.
JPM TMT Conf $MU takeaways:
"HBM4 production is ramping 2x faster than HBM3E 12-High did last year. HBM4E development is well under way for a CY27 ramp."
"On SCAs, mgmt confirmed meaningful progress since the first 5-year DRAM SCA disclosed in March, with multiple additional… https://t.co/gIPTeHbPuv pic.twitter.com/umXMt6Phx3— Sean (@sean_________) May 23, 2026
