A Samsung trabalha no desenvolvimento de um processo de fabricação de chips de 1 nanômetro (1nm), previsto para ser introduzido em 2031.
A tecnologia, considerada um dos projetos mais avançados da empresa, deve utilizar a arquitetura chamada "fork sheet" para aumentar a quantidade de transistores dentro da mesma área do chip.
Antes disso, a companhia segue desenvolvendo as segunda e terceira gerações do processo de 2nm com tecnologia GAA.
De acordo com o cronograma interno citado no relatório, a fase de pesquisa e desenvolvimento deve ser concluída até 2030.
A introdução do processo de 1nm está prevista para 2031. A redução de 2nm para 1nm é considerada um dos maiores desafios da indústria de semicondutores.
Para viabilizar essa transição, a Samsung pretende usar a técnica "fork sheet", que adiciona uma espécie de parede entre os transistores, aumentando a densidade dentro da mesma área do chip.
Nos processos atuais de 2nm, a Samsung utiliza a tecnologia GAA (Gate-All-Around), que melhora a eficiência energética ao expandir o caminho de corrente de três para quatro lados.
Porém, aplicar apenas essa técnica no processo de 1nm não seria suficiente. Segundo o Korea Economic Daily, a empresa pretende inserir uma barreira não condutiva entre os dispositivos GAA.
Essa estrutura cria mais espaço útil para novos transistores, o que deu origem ao nome "fork sheet". A ideia pode ser comparada à arquitetura urbana.
Em vez de deixar espaços livres entre construções, a Samsung pretende remover essas áreas e adicionar mais estruturas. Com isso, o chip passa a concentrar mais transistores sem aumentar o tamanho físico.
Em 2025, surgiram informações de que a Samsung teria cancelado o processo de 1,4nm. Posteriormente, outro relatório indicou que a tecnologia apenas foi adiada para 2028.
A mudança pode estar relacionada ao foco maior no desenvolvimento do processo de 2nm com tecnologia GAA. Também há indícios de que a empresa teve dificuldades de produção nesse período.
A ausência da tecnologia "fork sheet" nas etapas iniciais pode ter contribuído para esses obstáculos. Com mais pesquisas, a Samsung tenta avançar nessa área, mas o desempenho real do processo de 1nm ainda depende da execução prática.
O cenário atual mostra que a empresa ainda precisa resolver problemas de eficiência em seus chips recentes. O Exynos 2600, por exemplo, apresenta picos de consumo de energia que chegam a 30W em testes como o Geekbench 6.
Esse comportamento impacta diretamente a autonomia da bateria. Como resultado, a versão do Galaxy S26 com Snapdragon 8 Elite Gen 5 apresenta autonomia até 28% maior em comparação com a variante equipada com Exynos 2600.
Esse dado reforça que a Samsung ainda precisa melhorar a eficiência do processo de 2nm, começando pela segunda geração, conhecida como SF2P.
Dito isso, a Samsung parece estar trabalhando em uma meta ambiciosa com o processo de 1nm e a tecnologia "fork sheet".
Porém, antes disso, a empresa precisa resolver desafios atuais de eficiência e produção para que a nova geração de semicondutores alcance os resultados esperados.
