A Samsung está reformulando sua tecnologia de memória DRAM 1c de 6ª geração para melhorar os níveis de produção e garantir um desempenho mais eficiente.
Essa mudança pode ser decisiva para a evolução do HBM4, tecnologia muito importante para o futuro da computação de alto desempenho e inteligência artificial.
A DRAM 1c é um componente essencial para o desenvolvimento do HBM4, que representa a próxima geração de memórias de alto desempenho.
Porém, a Samsung teve muitos problemas em seu processo produtivo, com taxas de aproveitamento inferiores às expectativas.
De acordo com informações da ZDNet Korea, a empresa tem analisado diferentes abordagens desde o segundo semestre de 2024 e agora está implementando ajustes no design do chip para corrigir esses problemas.
A taxa de sucesso na produção desse componente estava entre 60% e 70%, abaixo do ideal para viabilizar a fabricação em larga escala.
O principal obstáculo identificado foi o tamanho reduzido dos chips, que comprometia a estabilidade do processo.
Para contornar essa limitação, a Samsung decidiu aumentar o tamanho do chip, priorizando um processo de fabricação mais estável, mesmo que isso aumente os custos.
"A Samsung Electronics mudou o design de sua DRAM 1c para aumentar o tamanho do chip e está se concentrando em melhorar os rendimentos, visando meados deste ano. Parece que eles estão focados na produção em massa estável de memória de próxima geração, mesmo que custe mais." — ZDNet Korea.
Enquanto a Samsung ajusta sua estratégia, empresas concorrentes como SK Hynix e Micron já avançaram no desenvolvimento de seus próprios processos DRAM.
Esse fator pressiona a gigante sul-coreana a acelerar suas melhorias para não perder espaço no mercado, principalmente após os desafios que teve com o HBM3.
O sucesso do HBM4 pode redefinir o posicionamento da Samsung no setor de memórias, influenciando sua capacidade de atender às demandas crescentes de inteligência artificial, servidores de alto desempenho e outras aplicações que exigem soluções de armazenamento rápido e eficiente.
Ainda não se sabe como será a versão final do processo DRAM de 6ª geração da Samsung, mas os especialistas apontam que novidades devem surgir nos próximos meses.
A expectativa é que a empresa finalize os ajustes necessários para viabilizar a produção em grande escala até o final do ano.
Caso consiga atingir os padrões exigidos pela indústria, a Samsung poderá se tornar uma peça-chave na evolução do HBM4, garantindo competitividade no setor de memórias avançadas e abrindo caminho para novas inovações tecnológicas.
