A Samsung Electronics está planejando entrar no novo segmento de DRAM 3D, apresentando as mais recentes tecnologias que permitirão que os mercados avancem para o futuro.
A indústria de DRAM esteve relativamente quieta nos últimos trimestres, com as empresas ocupadas combatendo a situação financeira rigorosa em que se encontravam em meio a altos níveis de estoque e baixa demanda.
Agora que a situação melhorou, o foco finalmente está voltado para a pesquisa e desenvolvimento da próxima geração. Com base nos slides de apresentação que surgiram, a indústria de DRAM está se movendo para linhas de compressão sub-10nm.
Para quebrar o impasse presente na inovação das modernas tecnologias DRAM, a Samsung planeja introduzir dois novos métodos, chamados Transistores de Canal Vertical e DRAM Empilhado.
Ambos envolvem diferenças no posicionamento dos componentes, o que reduz a ocupação da área do dispositivo, garantindo assim um desempenho superior.
Da mesma forma, para aumentar as capacidades de memória, a Samsung planeja utilizar o conceito de DRAM empilhado, que permite à empresa alcançar uma proporção maior de armazenamento para área, aumentando assim as capacidades do chip para potencialmente 100 GB no futuro.
Dito isso, é previsto que os mercados de DRAM 3D possam crescer até US$ 100 bilhões até 2028. E, pelo que parece, a Samsung está relativamente adiantada com seus desenvolvimentos, o que pode significar que a gigante coreana lidera a indústria de DRAM no futuro.
