Samsung quer levar memória HBM para celulares e tablets para melhorar IA

TecFoco Smartphones Empresa sul‑coreana cria empacotamento com FOWLP e VCS para levar a memória de alta largura de banda ao celular, visando melhorar IA local. Romário Leite · 22 de maio de 2026

HBM deixa os servidores e vai para o celular

01 Relatório indica que a Samsung trabalha em tecnologia de empacotamento que tornará a memória High‑Bandwidth Memory compatível com smartphones e tablets, ampliando a capacidade de IA no próprio aparelho.

Limitações das DRAM convencionais

02 Nos celulares, as DRAM atuais usam fios de cobre. Os limites de 128 a 256 terminais de entrada e saída provocam perda de sinal e aumento de calor quando se tenta melhorar a eficiência.

Pilares de cobre ultra‑alto e FOWLP

03 A Samsung pretende combinar pilares de cobre de proporção ultra‑alta com a tecnologia Fan‑Out Wafer Level Packaging, já usada no Exynos 2600, para melhorar a dissipação térmica e manter o desempenho.

Vertical Copper Post Stack em formato de escada

04 No VCS, os chips DRAM são empilhados em “escada” e os espaços são preenchidos com pilares de cobre. A proporção dos pilares subiu de 3‑5:1 para 15‑20:1, aumentando a largura de banda.

FOWLP reforça a estrutura e amplia terminais

05 Quando o diâmetro dos pilares cai abaixo de 10 µm, há risco de quebra. O FOWLP expande o cabeamento de cobre para o exterior e eleva a quantidade de terminais, podendo gerar até 30 % a mais de largura de banda.

Perspectivas e desafios de custo

06 A tecnologia pode chegar ao Exynos 2800 ou 2900, ainda em fase de desenvolvimento. O preço elevado das DRAM para dispositivos móveis pode atrasar a adoção em massa, mantendo a IA dependente de CPU e armazenamento.

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