Samsung quebra a barreira dos 10nm na DRAM com nova estrutura 4F que aumenta a densidade em até 50%

TecFoco Hardwares Primeiro módulo de DRAM em processo 9,5‑9,7nm usa célula quadrada 4F e transistor vertical, aumentando densidade em até 50%. Romário Leite · 1 de maio de 2026

Nova geração de DRAM da Samsung

01 A empresa confirmou o funcionamento de um chip DRAM fabricado em processo 10a, que opera entre 9,5nm e 9,7nm, o primeiro abaixo de 10nm no setor.

Célula 4F Square Cell

02 A tecnologia substitui a tradicional estrutura 6F retangular (3F x 2F) por uma célula quadrada 4F (2F x 2F), permitindo maior compactação dos transistores.

Transistor de canal vertical

03 O processo inclui transistores de canal vertical (VCT), que economizam espaço e ajudam a alcançar o tamanho de nó de menos de 10nm.

Ganhos de densidade e energia

04 A nova célula eleva a densidade do chip entre 30% e 50% e reduz o consumo de energia, graças ao design mais compacto.

Material IGZO nas células

05 A Samsung troca o silício por óxido de índio, gálio e zinco (IGZO), diminuindo vazamentos elétricos e preservando os dados por mais tempo.

Calendário de produção

06 A Samsung pretende terminar o desenvolvimento da DRAM 10a ainda este ano, iniciar produção em larga escala em 2028 e evoluir para versões 10b, 10c e 10d até 2030.

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