Samsung e SK Hynix avançam em DRAM para IA

TecFoco Hardwares Ambas as empresas testam técnicas distintas para criar memória DRAM de próxima geração para inteligência artificial. Romário Leite · 13 de maio de 2026

Pressão de IA no mercado de memória

01 A demanda por chips para IA cresceu, forçando Samsung e SK Hynix a buscar novas formas de produzir DRAM.

Tecnologia GAAFET na Samsung

02 A Samsung pretende usar GAAFET, já aplicado em NAND, para melhorar DRAM. GAAFET envolve canal do transistor cercado pelo gate, aumentando contato e desempenho.

Integração de capacitor e transistor

03 A DRAM precisa combinar capacitores e transistores. A Samsung busca colocar ambos na mesma célula, reduzindo espaço e complexidade.

Estrutura 3D horizontal

04 Os transistores são organizados horizontalmente em vez de empilhados. Essa 3D DRAM aumenta densidade, mas exige controle de contato entre elementos.

Estratégia 4F² da SK Hynix

05 A SK Hynix testa 4F², onde transistores empilham verticalmente e gate envolve os fios. A técnica lembra GAAFET e posiciona controle de dados abaixo da estrutura principal.

Quem vence a corrida da memória IA

06 Quem conseguir transformar a tecnologia em padrão de produção ganhará vantagem no mercado de memórias voltadas para inteligência artificial.

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