Samsung anuncia memórias de última geração HBM3E, GDDR7, LPDDR5x CAMM2 e mais

TecFoco Hardwares A Samsung revelou suas mais recentes inovações em tecnologia de memória no evento Memory Tech Day 2023, trazendo grandes saltos em termos de desempenho e Romário Leite · 25 de outubro de 2023

Samsung anuncia memórias de última geração HBM3E

01 A Samsung revelou suas mais recentes inovações em tecnologia de memória no evento Memory Tech Day 2023, trazendo grandes saltos em termos de desempenho e eficiência.

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02 Memória Samsung HBM3E "Shinebolt" para IA e data centers A Samsung, conhecida por suas contribuições à indústria de memória, apresentou o HBM3E, codinome "Shinebolt", sua mais recente aposta para o mercado de IA e data centers.

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03 Essa tecnologia de DRAM de última geração é projetada para impulsionar aplicações de Inteligência Artificial (IA) e data centers, melhorando a eficiência operacional e acelerando o treinamento e inferência de modelos de IA.

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04 O HBM3E possui uma velocidade incrível de 9,8 gigabits por segundo (Gbps) por pino, permitindo taxas de transferência superiores a 1,2 terabytes por segundo (TBps).

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05 Além disso, a Samsung otimizou a tecnologia de filme não condutor (NCF) para aprimorar o empilhamento e as características térmicas.

Ponto 6

06 As versões HBM3 de 8H e 12H da Samsung estão em produção em massa, e amostras do "Shinebolt" já estão sendo enviadas aos clientes.

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