3D X-DRAM: nova proposta de memória para IA e data centers

TecFoco Hardwares NEO Semiconductor apresenta a 3D X-DRAM, memória em 3D com até 512 Gb, baixa latência e alta retenção, visando IA e servidores. Romário Leite · 1 de maio de 2026

O que é a 3D X-DRAM

01 A 3D X-DRAM combina a estrutura da NAND com a lógica da DRAM. O objetivo é criar chips mais densos para aplicações de inteligência artificial e centros de dados.

Células de 1T1C e 3T0C

02 Dois modelos foram anunciados: 1T1C, compatível com padrões atuais e focado em alta densidade; 3T0C, projetado para cargas de IA usando leitura de corrente. Cada variante chega a 512 Gb, cerca de 10 vezes mais que a DRAM tradicional.

Retenção e eficiência

03 A tecnologia de canal IGZO permite retenção de até 450 segundos nas simulações, reduzindo a necessidade de refresh constante. Testes TCAD mostram leitura e gravação em menos de 10 ns.

Produção usando processo NAND 3D

04 A 3D X-DRAM pode ser fabricada em linhas de produção de NAND 3D com poucas adaptações. Assim, a empresa aproveita infraestrutura existente, evitando a complexidade do empilhamento de chips usado no HBM.

Desempenho vs. HBM

05 Comparada ao HBM, a 3D X-DRAM tem menor custo de fabricação e oferece alta largura de banda com consumo reduzido. Nos testes, a latência ficou abaixo de 10 ns e a retenção superou 1 segundo a 85 °C.

Próximos passos

06 A NEO Semiconductor já exibiu um protótipo funcional e recebeu investimentos para avançar o projeto. Ainda sem produção em massa, a tecnologia pode chegar ao mercado de servidores ainda nesta década.

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