Intel recebe apoio do Japão para desenvolver memória ZAM como alternativa à HBM

TecFoco Hardwares Projeto ZAM, parceria Intel e SoftBank, ganha subsídio japonês para acelerar desenvolvimento de memória alternativa à HBM. Romário Leite · 28 de abril de 2026

Parceria Intel e SoftBank cria ZAM

01 A Intel e a subsidiária da SoftBank, SAIMEMORY, apresentaram a Z-Angle Memory (ZAM) como nova solução de memória para IA e HPC.

Japão inclui ZAM no programa NEDO

02 A organização NEDO selecionou a ZAM e garantiu subsídios do governo, permitindo acelerar o desenvolvimento nos próximos 3,5 anos.

Objetivo da ZAM: alta densidade e baixa energia

03 A memória visa reduzir o consumo energético entre 40% e 50% e alcançar até 512 GB por chip, usando design mais simples.

Arquitetura da ZAM

04 Cada pilha reúne vários chips DRAM empilhados, conectados por interligações em ângulo e ligados ao processador via tecnologia EMIB sob o chip base.

Rede de parceiros global

05 O projeto conta com fornecedores de tecnologia, fabricação e cadeia de suprimentos no Japão e em outros países para produção em larga escala.

Primeira memória Intel em décadas

06 Com a ZAM, a Intel volta ao mercado de memórias depois de anos distante, reforçando colaboração entre EUA e Japão.

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