Intel produz 1 milhão de wafers de teste em EUV de alta NA e lidera Samsung e TSMC

TecFoco Hardwares Intel produz seu primeiro milhão de wafers de teste em EUV de alta NA, avança EMIB‑T e corta custos frente a Samsung e TSMC. Romário Leite · 11 de setembro de 2026

Milhão de wafers em EUV de alta NA

01 A Intel chegou ao marco de 1 milhão de wafers de teste usando litografia EUV de alta numeração de abertura, tecnologia que ainda está sendo adotada por Samsung e TSMC.

Vantagem de tempo sobre concorrentes

02 Com o wafer de teste, a Intel se coloca de 2 a 4 anos à frente da maioria das empresas que ainda desenvolvem a mesma tecnologia.

Impacto da alta NA no tamanho do die

03 A alta NA reduz a área de exposição pela metade, permitindo gravar recursos menores em uma única exposição e eliminando etapas múltiplas para estruturas abaixo de 3 nm.

EMIB‑T avança no empacotamento

04 O EMIB‑T da Intel inclui vias TSV nas pontes de silício, levando energia e sinais verticalmente e viabilizando empilhamento 3D dentro do pacote.

Custo do EMIB‑T comparado ao CoWoS

05 O preço do EMIB‑T fica cerca de 50% abaixo do CoWoS da TSMC, tornando a solução mais acessível para fabricantes de chips avançados.

Perspectiva de mercado até 2028

06 Analistas da UBS projetam que o EMIB‑T pode atender a mais de 2 milhões de substratos em 2028, suprindo demanda da MediaTek para chips de IA de próxima geração.

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