CXMT troca silício por háfnio em transistores de DRAM e abre caminho para o processo 1a e além

TecFoco Hardwares A fabricante chinesa aplica óxido de háfnio nos transistores de DRAM, reduzindo fuga de corrente e abrindo caminho para processos menores. Romário Leite · 27 de agosto de 2026

Nova camada de háfnio na DRAM

01 CXMT introduz óxido de háfnio (HfO₂) nos transistores, substituindo o dióxido de silício e limitando a fuga de corrente.

High‑k Metal Gate em ação

02 O High‑k Metal Gate troca o antigo polissilício por metais, eliminando a região inativa e melhorando a velocidade dos transistores.

Eficiência energética ganha espaço

03 Menor fuga de corrente e menos calor gerado elevam a eficiência energética e possibilitam frequências maiores na DRAM.

Processos G4 e G5 já em produção

04 A CXMT aplica a tecnologia no G4 (nó 1z) e desenvolve o G5 de 15 nm, aproximando‑a do processo 1a e de gerações futuras.

Capacidade de produção em crescimento

05 Planeja chegar a 300 mil wafers por mês, com unidades em Xangai e Hefei, e projeção de 800 mil wafers até 2030.

Avanços paralelos na indústria

06 Enquanto Samsung, SK Hynix e Micron avançam para

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