China cria transistores GAA com desempenho de 3nm usando máquinas DUV

TecFoco Hardwares Arquitetura da CAS mira desempenho de 3nm, mas limites nas conexões deixam o ganho prático mais perto do nível de 5nm. Romário Leite · 17 de setembro de 2026

China busca avançar com máquinas DUV

01 Controles de exportação dos Estados Unidos limitam o acesso chinês a equipamentos recentes. Nesse cenário, a CAS criou uma arquitetura GAA que, em teoria, abre caminho para desempenho próximo ao de 3nm.

Controle elétrico acima de 500 mil

02 No GAA, a estrutura envolve o canal por todos os lados. O transistor da CAS tem relação liga e desliga acima de 500 mil, o que reduz a corrente de fuga e ajuda a controlar o consumo.

Como a DUV alcança circuitos menores

03 A luz DUV não tem resolução normal para circuitos de 3nm. Gravações em várias etapas e litografia por imersão, com água ultrapura, já viabilizam o nível de 7nm. A arquitetura da CAS mira desempenho equivalente a 3nm.

As conexões ainda são um obstáculo

04 O avanço beneficia a criação dos transistores no FEOL. Já as valas e os furos do MEOL e a camada metálica M0 do BEOL continuam difíceis para a SMIC, pois exigem dimensões muito pequenas e alta precisão.

Ganho prático fica perto dos 5nm

05 A SMIC pode passar a camada M0 de cinco para quatro trilhas e reduzir a altura das células. A densidade estimada é de 137,8 MTr/mm², próxima à associada ao processo de 5nm da TSMC, e não a um processo completo de 3nm.

Huawei também aposta no LogicFolding

06 A Huawei usa o LogicFolding para empilhar circuitos lógicos e antecipar os chips Ascend 960 do terceiro para o primeiro trimestre de 2027. O avanço com GAA ainda depende das conexões e das camadas metálicas do chip.

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