Samsung desenvolve primeira memória RAM DDR5 de 512 GB baseado em HKMG

TecFoco Inteligência Artificial A Samsung anunciou recentemente o primeiro módulo de 512 GB DDR5 (Double Data Rate 5) da indústria baseado na tecnologia de processo High-K Metal Gate Romário Leite · 13 de abril de 2021

Samsung desenvolve primeira memória RAM DDR5 de 512 GB

01 A Samsung anunciou recentemente o primeiro módulo de 512 GB DDR5 (Double Data Rate 5) da indústria baseado na tecnologia de processo High-K Metal Gate (HKMG).

Ponto 2

02 O novo módulo DDR5 foi projetado para orquestrar as cargas de trabalho de alta largura de banda com grande demanda por computação em supercomputação, inteligência artificial (AI), aprendizado de máquina (ML) e aplicativos de análise de

Ponto 3

03 O novo módulo de memória DDR5 da Samsung oferece mais do que o dobro do desempenho do DDR4, chegando até 7.200 megabits por segundo (Mbps) usando tecnologia HKMG altamente avançada.

Ponto 4

04 Devido à redução contínua das estruturas de DRAM (Dynamic Random Access Memory), a camada de isolamento se tornou mais fina, levando a uma maior corrente de fuga.

Ponto 5

05 Ao substituir o isolador por material HKMG, o DDR5 da Samsung será capaz de reduzir o vazamento e alcançar novos patamares de desempenho.

Ponto 6

06 Essa nova memória também usará aproximadamente 13% menos energia, tornando-a especialmente adequada para datacenters onde a eficiência energética está se tornando cada vez mais crítica.

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