Samsung desenvolve primeira memória RAM DDR5 de 512 GB baseado em HKMG

TecFoco Inteligência Artificial A Samsung criou a primeira memória DDR5 de 512 GB com tecnologia HKMG, prometendo mais velocidade e eficiência energética para datacenters. Romário Leite · 13 de abril de 2021

Samsung lança DDR5 de 512 GB

01 A Samsung apresentou o primeiro módulo DDR5 de 512 GB da indústria. A peça usa a tecnologia de processo HKMG. O lançamento foca em servidores e centros de dados de alto desempenho.

HKMG melhora o desempenho

02 A tecnologia HKMG substitui isoladores antigos que se tornaram finos com o tempo. Isso reduz o vazamento de corrente elétrica. O componente atinge 7.200 Mbps, mais que o dobro do DDR4.

Menos energia para datacenters

03 O novo módulo consome cerca de 13% menos energia. Essa eficiência importa para empresas com muitos servidores ligados o dia todo. A economia ajuda no controle de custos operacionais.

Empilhamento de oito camadas

04 A Samsung usa tecnologia TSV para empilhar oito camadas de chips DRAM de 16 Gb. Essa estrutura compacta resulta na capacidade total de 512 GB. O TSV já foi usado em módulos de 256 GB em 2014.

Liderança e parcerias ativas

05 A empresa é a única a unir lógica e memória para aplicar o HKMG. Young-Soo Sohn, da Samsung, citou aplicações em medicina e cidades inteligentes. A Intel confirmou a compatibilidade com seus Xeon Sapphire Rapids.

Disponibilização em 2021

06 Os testes seguem em andamento diferentes variações do produto. A expectativa oficial é que a peça chegue às lojas na segunda metade de 2021. A disponibilidade depende da certificação final de uso.

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