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Micron lança memória DDR5 de 512 GB com velocidade de até 9.200 MT/s

Primeiro módulo DDR5 de 512 GB chega ao mercado, alcança 9.200 MT/s, corta consumo e abre caminho para servidores de IA com até 12 TB de RAM.

Romário Leite · 16 de setembro de 2026

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Micron lança memória DDR5 de 512 GB

A empresa revelou o primeiro módulo DDR5 de 512 GB, com taxa de até 9.200 MT/s. O produto foi pensado para servidores de nova geração que precisam de muita memória.

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Empilhamento vertical de chips

Para alcançar a capacidade, a Micron usa empilhamento de chips DRAM na vertical, conectados por vias que atravessam o silício (TSVs). A técnica concentra mais memória sem perder desempenho.

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Servidor pode chegar a 12 TB de RAM

Um servidor com dois processadores e 24 slots pode instalar quatro módulos de 512 GB, totalizando 12 TB de memória DDR5. Isso amplia o espaço para dados em tempo real.

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AMD e Intel testam o módulo

A Micron colabora com AMD e Intel para validar o RDIMM de 512 GB nas próximas plataformas. As duas fabricantes trabalham para garantir compatibilidade e facilitar a adoção.

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Menor consumo e ganho de performance

Um módulo de 512 GB consome mais de 60 % menos energia que quatro módulos de 128 GB. Em cargas que dependem da memória, o desempenho pode subir até 1,4 vezes em relação a módulos de 256 GB.

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Aplicações em IA e bancos de dados

A grande capacidade beneficia IA generativa, grandes modelos de linguagem, bancos de dados em memória e caches como RocksDB e Redis, permitindo mais operações simultâneas e expansão eficiente.

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Primeiro módulo DDR5 de 512 GB chega ao mercado, alcança 9.200 MT/s, corta consumo e abre caminho para servidores de IA com até 12 TB de RAM.

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