Intel desenvolve ZAM, memória mais veloz que HBM4

TecFoco Hardwares A nova memória ZAM da Intel promete o dobro da velocidade da HBM4. Conheça a estrutura empilhada e o foco em IA. Romário Leite · 6 de maio de 2026

ZAM entra na disputa por IA

01 A Z-Angle Memory, ou ZAM, da Intel, avança no desenvolvimento. Ela mira o mercado de inteligência artificial como rival da HBM. O projeto visa alta densidade e economia de energia.

Dupla maior que a HBM4

02 Intel e SoftBank trabalham juntas nessa tecnologia. A expectativa é entregar até o dobro da largura de banda da HBM4. Ela pode chegar perto do desempenho da futura HBM4E, prevista para o próximo ano.

Chegada prevista para 2030

03 A chegada ao mercado ainda demorará. A previsão aponta para o período entre 2028 e 2030. No VLSI Symposium 2026, Intel e SAIMEMORY apresentarão detalhes iniciais da arquitetura.

Estrutura de 9 camadas

04 O design usa 9 camadas empilhadas. São 8 de DRAM, com substrato de silício de 3 micrômetros entre elas. Na base, um controlador lógico gerencia todo o fluxo de dados das memórias.

Alta capacidade e velocidade

05 Três camadas de TSV usam cerca de 13,7 mil conexões por meio de ligação híbrida. Cada camada tem 1,125 GB. O conjunto soma 10 GB, alcançando 30 GB no pacote, com 5,3 TB/s de velocidade.

Menos calor, mais eficiência

06 A estrutura vertical ajuda na dissipação de calor, reduzindo dependência de conexões externas. O foco é usar pacote 3.5D para unir memória rápida, energia e fotônica de silício.

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