Intel lança chiplet GaN ultrafino de 19 µm

TecFoco Hardwares Primeiro chiplet GaN do mundo, com apenas 19 µm de espessura, promete performance e eficiência para data centers e redes 5G/6G. Romário Leite · 14 de abril de 2026

Marco em semicondutores

01 A Intel Foundry cria o chiplet GaN mais fino já visto, com apenas 19 µm de espessura. O projeto usa wafers GaN‑on‑silicon de 300 mm, mantendo compatibilidade com a linha de produção atual.

Integração de potência e controle

02 Transistores GaN foram combinados com circuitos digitais no mesmo chip. Isso elimina a necessidade de chiplets adicionais e reduz perdas de energia na transmissão de sinais.

Confiabilidade testada

03 Testes de confiabilidade mostram que o chiplet atende aos padrões exigidos para uso comercial. O produto pode entrar em linha de produção em curto prazo.

Impacto em data centers

04 O GaN permite reguladores de tensão menores e mais próximos do processador, reduzindo perdas elétricas. Isso traz mais potência em menor espaço para servidores.

Aplicações em redes 5G/6G

05 Os transistores GaN operam acima de 200 GHz, ideal para front‑end de RF em estações‑base e futuras redes de ondas centimétricas e milimétricas.

Vantagens sobre silício

06 O GaN oferece maior densidade de potência, pode operar em temperaturas mais altas e usa wafers de silício padrão, facilitando a adoção em indústrias já existentes.

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